中科院GAA晶体管突破，绕开EUV光刻机造3nm芯片

9月18日消息，据报道，中国科学院近日公布了一种新型全环绕栅极 晶体管架构，在DUV光刻机上实现了开关比超过50万倍的性能表现，理论上可解锁3nm等效性能。中科院此次开发的GAA晶体管开关比超过50万，意味着开启时流过的电流是关闭时的50万倍，展现出极佳的电气控制能力。更关键的是，这些晶体管据称是用DUV光刻机制造的。DUV光刻机的分辨率本不足以直接刻画3nm级电路，通常只能通过多重曝光和浸没式DUV做到7nm级别。中科院的新晶体管架构打破了这一限制，通过放宽晶体管间距来保持性能，为DUV路线打开了通往3nm等效性能的理论窗口。中科院此次突破的意义在于，它验证了在缺少EUV光刻机的条件下，中国芯片产业仍有一条从DUV向更先进制程逼近的技术路径。