开关晶体管工作原理（晶体管工作原理）

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1、 一、晶体管工作原理3354简介

2、 晶体管，英文名Transistor，是指所有基于半导体材料的单个元件，如二极管、三极管、场效应晶体管等。晶体管具有整流、检波、放大、稳压、开关等多种功能。具有响应速度快、精度高的特点。

3、 它是规范手机、平板电脑等现代电子电路运行的基本积木，目前已被广泛应用。

4、 二。晶体管工作原理3354的分类

5、 根据所用材料的不同，晶体管可分为硅晶体管和锗晶体管。按极性可分为NPN晶体管和PNP晶体管；根据结构和制造工艺的不同，可分为扩散晶体管、合金晶体管和平面晶体管；还可以根据不同的载流量、不同的工作频率、不同的封装结构等不同的分类方法分为不同的类型。

6、 三。晶体管工作原理3354双极晶体管

7、 双极晶体管，英文名叫Bipolar Transistor，是双极结型晶体管的缩写。因为它有三个端子，我们通常称之为三极管。三极管由两个PN结组成，pn结将其分为发射极区、基极区和集电极区。

8、 相应产生三个电极：发射极、基极、集电极。

9、 三极管的工作原理是酱紫。首先，电源作用于发射极结使发射极结正向偏置，发射极区的自由电子不断流向基极区形成发射极电流。其次，自由电子从发射区流向基区后，首先聚集在发射结附近，但随着这里自由电子的增加，

10、 在基区形成电子浓度差，使得自由电子在基区逐渐从发射极结流向集电极结，形成集电极电流；最后，因为在集电极结处有大的反向电压，所以阻止了集电极区中的自由电子扩散到基极区。

11、 聚集在集电极结附近的自由电子被吸引到集电极区域以形成集电极电流。

12、 四。场效应晶体管

13、 场效应晶体管(FET)，英文名Field Effect Transistor，是通过控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的器件。

14、 可分为结与绝缘栅、增强与耗尽、N沟道与P沟道。接下来我们就以N沟道结型场效应晶体管为例来说明场效应晶体管的工作原理。

15、 对应三极管的基极、集电极和发射极，场效应管分别是栅极、漏极和源极。栅极和源极之间加负电压，漏极和源极之间加直流电压，保证FET能正常工作。施加的负电压越大，PN结处形成的耗尽区越厚，导电沟道越窄。

16、 沟道电阻越大，漏电流越小；相反，施加的负电压越小，PN结处形成的耗尽区越薄，导电沟道越厚，沟道电阻越小，漏电流越大。因此，通过控制施加在栅极和源极之间的负电压来控制沟道电流。

17、 动词（verb的缩写）晶体管的类型

18、 双极晶体管根据半导体的组合方式分为NPN型和PNP型。另一方面，场效应晶体管由于其结构而分为结型场效应晶体管(结构FET)和MOS场效应晶体管(MOSFET)。它可以进一步分为n通道、p通道，

19、 N沟道中电流的主体是电子，P沟道中的电流是空穴。双极晶体管用于模拟集成电路、高频放大器或音频输出、串联调节器和其他模拟用途。另一方面，MOSFET的通断开关动作迅速，因为其结构简单，

20、 并且可以由低开关功耗的CMOS门构成，通过微加工技术可以提高性能，成为数字LSI器件中必不可少的部件。功率MOSFET是一种适于通过改变开关周期时间来控制功率的器件。

21、 不及物动词晶体管的结构和操作

22、 在NPN晶体管中，如果加上直流电压消除基极和发射极结的势垒，电子将从发射极注入基极。减薄基极层厚度后，几乎所有的电子都会作为扩散电流到达基极和集电极的结，成为集电极电流。

23、 同时空穴也从基极注入发射极，成为基极电流，但将发射极的杂质浓度提高到基极杂质100倍的话就可以降低电流的比例，依靠微小的基极电流可以控制较大的集电极电流。NPN晶体管中电子虽为电流的主体，

24、 但PNP晶体管中空穴为主体，因此电流的流动方向相反。

本文到此结束，希望对大家有所帮助。

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